TK32E12N1,S1X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK32E12N1,S1X
LIXINC Part #	TK32E12N1,S1X
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK32E12N1,S1X Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK32E12N1,S1X Specyfikacje

Numer części:	TK32E12N1,S1X
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVIII-H
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	120 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	60A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 500µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2000 pF @ 60 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	98W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220
opakowanie / etui:	TO-220-3