SSM5H90ATU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM5H90ATU,LF

SSM5H90ATU,LF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SSM5H90ATU,LF
LIXINC Part #	SSM5H90ATU,LF
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SSM5H90ATU,LF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SSM5H90ATU,LF Specyfikacje

Numer części:	SSM5H90ATU,LF
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.4A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4V
rds na (maks.) @ id, vgs:	65mOhm @ 1.5A, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	2.2 nC @ 4 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	200 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	500mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	UFV
opakowanie / etui:	5-SMD, Flat Leads