FDMS039N08B | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS039N08B

FDMS039N08B

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDMS039N08B
LIXINC Part #	FDMS039N08B
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDMS039N08B Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDMS039N08B Specyfikacje

Numer części:	FDMS039N08B
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	19.4A (Ta), 100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7600 pF @ 40 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 104W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN