IRFH5406TRPBF | Rochester Electronics IRFH5406TRPBF | IRFH5406TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH5406TRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFH5406TRPBF
LIXINC Part #	IRFH5406TRPBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	IRFH5406 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFH5406TRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFH5406TRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFH5406TRPBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11A (Ta), 40A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	14.4mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 50µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.256 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.6W (Ta), 46W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN