SQP120N06-6M7_GE3 | Vishay / Siliconix SQP120N06-6M7_GE3 | SQP120N06-6M7

SQP120N06-6M7_GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SQP120N06-6M7_GE3
LIXINC Part #	SQP120N06-6M7_GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V TO220AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SQP120N06-6M7_GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SQP120N06-6M7_GE3 Specyfikacje

Numer części:	SQP120N06-6M7_GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	-
technologia:	-
dren do źródła napięcia (vdss):	-
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	119A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack