IPD65R660CFDATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD65R660CFDATMA2 | IPD65R660CFDATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD65R660CFDATMA2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPD65R660CFDATMA2
LIXINC Part #	IPD65R660CFDATMA2
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPD65R660CFDATMA2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 01 - Jul 05 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPD65R660CFDATMA2 Specyfikacje

Numer części:	IPD65R660CFDATMA2
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	CoolMOS™ CFD2
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	700 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	6A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 200µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	615 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	63W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO252-3-313
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63