SSM3K341R,LXHF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K341R,LXHF

SSM3K341R,LXHF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SSM3K341R,LXHF
LIXINC Part #	SSM3K341R,LXHF
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SSM3K341R,LXHF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SSM3K341R,LXHF Specyfikacje

Numer części:	SSM3K341R,LXHF
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	6A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	36mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	550 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.2W (Ta)
temperatura robocza:	175°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-23F
opakowanie / etui:	SOT-23-3 Flat Leads