SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQ4850EY-T1_GE3 | SQ4850EY-T1

SQ4850EY-T1_GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SQ4850EY-T1_GE3
LIXINC Part #	SQ4850EY-T1_GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SQ4850EY-T1_GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 27 - Oct 01 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SQ4850EY-T1_GE3 Specyfikacje

Numer części:	SQ4850EY-T1_GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	12A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	22mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1250 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	6.8W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

APT10M19BVRG	MOSFET N-CH 100V 75A TO247	803 Więcej na zamówienie
IPA60R199CPXKSA1	MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP	848 Więcej na zamówienie
BUK7212-55B,118	MOSFET N-CH 55V 75A DPAK	910 Więcej na zamówienie
EPC2039	GANFET N-CH 80V 6.8A DIE	90021 Więcej na zamówienie
AON6510	MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN	1371 Więcej na zamówienie
IRF840LCSTRRPBF	MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB	981 Więcej na zamówienie
2SK209-Y(TE85L,F)	MOSFET N-CH 10V 14MA SC59	12204 Więcej na zamówienie
PSMN130-200D,118-NEX	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	859 Więcej na zamówienie
PMZB670UPE,315	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	30475 Więcej na zamówienie
STW21NM60ND	MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3	1022 Więcej na zamówienie
SQ1470AEH-T1_GE3	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70	6340 Więcej na zamówienie
UPA2521T1H-T2-AT	MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF	84832 Więcej na zamówienie
SSM6J502NU,LF	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB	3164 Więcej na zamówienie