SQ1470AEH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQ1470AEH-T1_GE3 | SQ1470AEH-T1

SQ1470AEH-T1_GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SQ1470AEH-T1_GE3
LIXINC Part #	SQ1470AEH-T1_GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SQ1470AEH-T1_GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 27 - Oct 01 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SQ1470AEH-T1_GE3 Specyfikacje

Numer części:	SQ1470AEH-T1_GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.7A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	65mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.6V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	5.2 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	450 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.3W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-363, SC70
opakowanie / etui:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363