TK58A06N1,S4X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK58A06N1,S4X

TK58A06N1,S4X

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK58A06N1,S4X
LIXINC Part #	TK58A06N1,S4X
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK58A06N1,S4X Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK58A06N1,S4X Specyfikacje

Numer części:	TK58A06N1,S4X
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVIII-H
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	58A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 500µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3400 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	35W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220SIS
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack