STDV3055L104T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor STDV3055L104T4G

STDV3055L104T4G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STDV3055L104T4G
LIXINC Part #	STDV3055L104T4G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STDV3055L104T4G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STDV3055L104T4G Specyfikacje

Numer części:	STDV3055L104T4G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	12A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	104mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	20 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±15V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	440 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.5W (Ta), 48W (Tj)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63