STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP | STQ2NK60ZR-AP Inventory, Best Pricing

STQ2NK60ZR-AP

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STQ2NK60ZR-AP
LIXINC Part #	STQ2NK60ZR-AP
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STQ2NK60ZR-AP Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STQ2NK60ZR-AP Specyfikacje

Numer części:	STQ2NK60ZR-AP
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	SuperMESH™
pakiet:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	400mA (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	170 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92-3
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)