PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors PMGD8000LN,115 | PMGD8000LN,115 Inventory, Best Pricing

PMGD8000LN,115

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PMGD8000LN,115
LIXINC Part #	PMGD8000LN,115
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PMGD8000LN,115 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PMGD8000LN,115 Specyfikacje

Numer części:	PMGD8000LN,115
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	125mA
rds na (maks.) @ id, vgs:	8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	0.35nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	18.5pF @ 5V
moc - maks:	200mW
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pakiet urządzeń dostawcy:	6-TSSOP