IRF8910GPBF | IR (Infineon Technologies) IRF8910GPBF | IRF8910GPBF Inventory, Best Pricing

IRF8910GPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF8910GPBF
LIXINC Part #	IRF8910GPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF8910GPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF8910GPBF Specyfikacje

Numer części:	IRF8910GPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A
rds na (maks.) @ id, vgs:	13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.55V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	960pF @ 10V
moc - maks:	2W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO