AUIRF7343Q | IR (Infineon Technologies) AUIRF7343Q | AUIRF7343Q Inventory, Best Pricing

AUIRF7343Q

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	AUIRF7343Q
LIXINC Part #	AUIRF7343Q
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	AUIRF7343Q Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

AUIRF7343Q Specyfikacje

Numer części:	AUIRF7343Q
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N and P-Channel
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	55V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.7A, 3.4A
rds na (maks.) @ id, vgs:	50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	36nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	740pF @ 25V
moc - maks:	2W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO