SIS902DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIS902DN-T1-GE3 | SIS902DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIS902DN-T1-GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SIS902DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SIS902DN-T1-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SIS902DN-T1-GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SIS902DN-T1-GE3 Specyfikacje

Numer części:	SIS902DN-T1-GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Standard
dren do źródła napięcia (vdss):	75V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A
rds na (maks.) @ id, vgs:	186mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	175pF @ 38V
moc - maks:	15.4W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	PowerPAK® 1212-8 Dual
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerPAK® 1212-8 Dual