BSM200GA170DN2SE325HOSA1 | Rochester Electronics BSM200GA170DN2SE325HOSA1 | BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Inventory, Best Pricing

BSM200GA170DN2SE325HOSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
LIXINC Part #	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	IGBT MODULE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Specyfikacje

Numer części:	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	*
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ tranzystora:	-
prąd - kolektor (ic) (max):	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	-
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	-
prąd - odcięcie kolektora (max):	-
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	-
moc - maks:	-
częstotliwość - przejście:	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	-
opakowanie / etui:	-
pakiet urządzeń dostawcy:	-