MMBTA13LT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MMBTA13LT1G

MMBTA13LT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MMBTA13LT1G
LIXINC Part #	MMBTA13LT1G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	TRANS NPN DARL 30V 300MA SOT23-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MMBTA13LT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MMBTA13LT1G Specyfikacje

Numer części:	MMBTA13LT1G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	NPN - Darlington
prąd - kolektor (ic) (max):	300 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	30 V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	1.5V @ 100µA, 100mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	10000 @ 100mA, 5V
moc - maks:	225 mW
częstotliwość - przejście:	125MHz
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-23-3 (TO-236)