HN4A51JTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	HN4A51JTE85LF
LIXINC Part #	HN4A51JTE85LF
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze
Opis	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	HN4A51JTE85LF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 05 - Jul 09 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

HN4A51JTE85LF Specyfikacje

Numer części:	HN4A51JTE85LF
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	2 PNP (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	120V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
moc - maks:	300mW
częstotliwość - przejście:	100MHz
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SC-74A, SOT-753
pakiet urządzeń dostawcy:	SMV