HN1C03FU-A(TE85L,F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN1C03FU-A(TE85L,F | HN1C03FU-A(TE85L,F Inventory, Best Pricing

HN1C03FU-A(TE85L,F

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	HN1C03FU-A(TE85L,F
LIXINC Part #	HN1C03FU-A(TE85L,F
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze
Opis	TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	HN1C03FU-A(TE85L,F Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 05 - Jul 09 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

HN1C03FU-A(TE85L,F Specyfikacje

Numer części:	HN1C03FU-A(TE85L,F
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	2 NPN (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	300mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	20V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	100mV @ 3mA, 30mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 4mA, 2V
moc - maks:	200mW
częstotliwość - przejście:	30MHz
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pakiet urządzeń dostawcy:	US6