IS61NVF51236-7.5B3I | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61NVF51236-7.5B3I | IS61NVF51236-7.5B3I Inventory, Best Pricing

IS61NVF51236-7.5B3I

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IS61NVF51236-7.5B3I
LIXINC Part #	IS61NVF51236-7.5B3I
Producent	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IS61NVF51236-7.5B3I Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IS61NVF51236-7.5B3I Specyfikacje

Numer części:	IS61NVF51236-7.5B3I
Marka:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Obsolete
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	SRAM
technologia:	SRAM - Synchronous, SDR
rozmiar pamięci:	18Mb (512K x 36)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	117 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	7.5 ns
napięcie zasilające:	2.375V ~ 2.625V
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	165-TBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	165-TFBGA (13x15)