VS-CPV363M4UPBF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-CPV363M4UPBF

VS-CPV363M4UPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-CPV363M4UPBF
LIXINC Part #	VS-CPV363M4UPBF
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-CPV363M4UPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-CPV363M4UPBF Specyfikacje

Numer części:	VS-CPV363M4UPBF
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	-
konfiguracja:	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	13 A
moc - maks:	36 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 6.8A
prąd - odcięcie kolektora (max):	250 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	1.1 nF @ 30 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	19-SIP (13 Leads), IMS-2
pakiet urządzeń dostawcy:	IMS-2