DTB113ZSTP | ROHM Semiconductor DTB113ZSTP | DTB113ZSTP Inventory, Best Pricing

DTB113ZSTP

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DTB113ZSTP
LIXINC Part #	DTB113ZSTP
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DTB113ZSTP Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DTB113ZSTP Specyfikacje

Numer części:	DTB113ZSTP
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Box (TB)
stan części:	Obsolete
typ tranzystora:	PNP - Pre-Biased
prąd - kolektor (ic) (max):	500 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50 V
rezystor - baza (r1):	1 kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	10 kOhms
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	56 @ 50mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	500nA
częstotliwość - przejście:	200 MHz
moc - maks:	300 mW
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	SC-72 Formed Leads
pakiet urządzeń dostawcy:	SPT