SI5517DU-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI5517DU-T1-E3 | SI5517DU-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI5517DU-T1-E3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SI5517DU-T1-E3
LIXINC Part #	SI5517DU-T1-E3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SI5517DU-T1-E3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SI5517DU-T1-E3 Specyfikacje

Numer części:	SI5517DU-T1-E3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N and P-Channel
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	6A
rds na (maks.) @ id, vgs:	39mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	16nC @ 8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	520pF @ 10V
moc - maks:	8.3W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	PowerPAK® ChipFET™ Dual
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerPAK® ChipFet Dual