NDS8852H | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NDS8852H

NDS8852H

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NDS8852H
LIXINC Part #	NDS8852H
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NDS8852H Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NDS8852H Specyfikacje

Numer części:	NDS8852H
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N and P-Channel
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.3A, 3.4A
rds na (maks.) @ id, vgs:	80mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	25nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	300pF @ 15V
moc - maks:	1W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOIC