GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 | GB10SLT12-252 Inventory, Best Pricing

GB10SLT12-252

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	GB10SLT12-252
LIXINC Part #	GB10SLT12-252
Producent	GeneSiC Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	GB10SLT12-252 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

GB10SLT12-252 Specyfikacje

Numer części:	GB10SLT12-252
Marka:	GeneSiC Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	GeneSiC Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
rodzaj diody:	Silicon Carbide Schottky
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	1200 V
prąd - średni wyprostowany (io):	10A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	2 V @ 10 A
prędkość:	No Recovery Time > 500mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	0 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	250 µA @ 1200 V
pojemność @ vr, f:	520pF @ 1V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 175°C