VS-1EFH02WHM3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-1EFH02WHM3-18

VS-1EFH02WHM3-18

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-1EFH02WHM3-18
LIXINC Part #	VS-1EFH02WHM3-18
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 200V 1A SMF
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-1EFH02WHM3-18 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-1EFH02WHM3-18 Specyfikacje

Numer części:	VS-1EFH02WHM3-18
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	200 V
prąd - średni wyprostowany (io):	1A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	930 mV @ 1 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	16 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	2 µA @ 200 V
pojemność @ vr, f:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-219AB
pakiet urządzeń dostawcy:	SMF (DO-219AB)
temperatura pracy - złącze:	-65°C ~ 175°C