PHD82NQ03LT,118 | NXP Semiconductors PHD82NQ03LT,118 | PHD82NQ03LT,118 Inventory, Best Pricing

PHD82NQ03LT,118

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PHD82NQ03LT,118
LIXINC Part #	PHD82NQ03LT,118
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PHD82NQ03LT,118 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PHD82NQ03LT,118 Specyfikacje

Numer części:	PHD82NQ03LT,118
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	75A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	16.7 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1620 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	136W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63