IRF7524D1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7524D1PBF | IRF7524D1PBF Inventory, Best Pricing

IRF7524D1PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF7524D1PBF
LIXINC Part #	IRF7524D1PBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF7524D1PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF7524D1PBF Specyfikacje

Numer części:	IRF7524D1PBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	FETKY™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.7A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.7V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	270mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	8.2 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	240 pF @ 15 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Isolated)
rozpraszanie mocy (maks.):	1.25W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	Micro8™
opakowanie / etui:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)