GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247 | GA20SICP12-247 Inventory, Best Pricing

GA20SICP12-247

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	GA20SICP12-247
LIXINC Part #	GA20SICP12-247
Producent	GeneSiC Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	GA20SICP12-247 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

GA20SICP12-247 Specyfikacje

Numer części:	GA20SICP12-247
Marka:	GeneSiC Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	GeneSiC Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	-
technologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	45A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	50mOhm @ 20A
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3091 pF @ 800 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	282W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247AB
opakowanie / etui:	TO-247-3