RP1L080SNTR | ROHM Semiconductor RP1L080SNTR | RP1L080SNTR Inventory, Best Pricing

RP1L080SNTR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RP1L080SNTR
LIXINC Part #	RP1L080SNTR
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RP1L080SNTR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RP1L080SNTR Specyfikacje

Numer części:	RP1L080SNTR
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	8A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	24mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1700 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2W (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	MPT6
opakowanie / etui:	6-SMD, Flat Leads