BS108/01,126 | NXP Semiconductors BS108/01,126 | BS108/01,126 Inventory, Best Pricing

BS108/01,126

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BS108/01,126
LIXINC Part #	BS108/01,126
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BS108/01,126 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BS108/01,126 Specyfikacje

Numer części:	BS108/01,126
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	-
pakiet:	Tape & Box (TB)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	300mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.8V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 2.8V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	120 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92-3
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)