SI3812DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI3812DV-T1-E3 | SI3812DV-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI3812DV-T1-E3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SI3812DV-T1-E3
LIXINC Part #	SI3812DV-T1-E3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SI3812DV-T1-E3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SI3812DV-T1-E3 Specyfikacje

Numer części:	SI3812DV-T1-E3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	LITTLE FOOT®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	600mV @ 250µA (Min)
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	4 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
funkcja fet:	Schottky Diode (Isolated)
rozpraszanie mocy (maks.):	830mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-TSOP
opakowanie / etui:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6