RJK6002DPH-E0#T2 | Renesas Electronics America RJK6002DPH-E0#T2 | RJK6002DPH-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK6002DPH-E0#T2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RJK6002DPH-E0#T2
LIXINC Part #	RJK6002DPH-E0#T2
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RJK6002DPH-E0#T2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RJK6002DPH-E0#T2 Specyfikacje

Numer części:	RJK6002DPH-E0#T2
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	6.8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6.2 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	165 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	30W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-251
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA