GA05JT12-247 | GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247 | GA05JT12-247 Inventory, Best Pricing

GA05JT12-247

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	GA05JT12-247
LIXINC Part #	GA05JT12-247
Producent	GeneSiC Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	GA05JT12-247 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

GA05JT12-247 Specyfikacje

Numer części:	GA05JT12-247
Marka:	GeneSiC Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	GeneSiC Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	-
technologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	280mOhm @ 5A
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	106W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247AB
opakowanie / etui:	TO-247-3