FDC642P-F085P | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDC642P-F085P

FDC642P-F085P

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDC642P-F085P
LIXINC Part #	FDC642P-F085P
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDC642P-F085P Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDC642P-F085P Specyfikacje

Numer części:	FDC642P-F085P
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	65mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	9 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	630 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.2W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TSOT-23-6
opakowanie / etui:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6