IRF5806 | IR (Infineon Technologies) IRF5806 | IRF5806 Inventory, Best Pricing

IRF5806

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF5806
LIXINC Part #	IRF5806
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF5806 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 08 - Jul 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF5806 Specyfikacje

Numer części:	IRF5806
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	86mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11.4 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	594 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	Micro6™(TSOP-6)
opakowanie / etui:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6