IRF7526D1TR | IR (Infineon Technologies) IRF7526D1TR | IRF7526D1TR Inventory, Best Pricing

IRF7526D1TR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF7526D1TR
LIXINC Part #	IRF7526D1TR
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF7526D1TR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF7526D1TR Specyfikacje

Numer części:	IRF7526D1TR
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	FETKY™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	200mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	180 pF @ 25 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Isolated)
rozpraszanie mocy (maks.):	1.25W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	Micro8™
opakowanie / etui:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)