PHU108NQ03LT,127 | NXP Semiconductors PHU108NQ03LT,127 | PHU108NQ03LT,127 Inventory, Best Pricing

PHU108NQ03LT,127

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PHU108NQ03LT,127
LIXINC Part #	PHU108NQ03LT,127
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 75A IPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PHU108NQ03LT,127 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PHU108NQ03LT,127 Specyfikacje

Numer części:	PHU108NQ03LT,127
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	75A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	16.3 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1375 pF @ 12 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	187W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I-PAK
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA