ZXMNS3BM832TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	ZXMNS3BM832TA
LIXINC Part #	ZXMNS3BM832TA
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	ZXMNS3BM832TA Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

ZXMNS3BM832TA Specyfikacje

Numer części:	ZXMNS3BM832TA
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	2.9 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	314 pF @ 15 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Isolated)
rozpraszanie mocy (maks.):	1W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-MLP Dual Die (3x2)
opakowanie / etui:	8-VDFN Exposed Pad