2SK2963(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK2963(TE12L,F)

2SK2963(TE12L,F)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SK2963(TE12L,F)
LIXINC Part #	2SK2963(TE12L,F)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SK2963(TE12L,F) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SK2963(TE12L,F) Specyfikacje

Numer części:	2SK2963(TE12L,F)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	700mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6.3 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	140 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	500mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PW-MINI
opakowanie / etui:	TO-243AA