NTHS2101PT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTHS2101PT1G

NTHS2101PT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTHS2101PT1G
LIXINC Part #	NTHS2101PT1G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTHS2101PT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTHS2101PT1G Specyfikacje

Numer części:	NTHS2101PT1G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	8 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.4A (Tj)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	25mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	30 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2400 pF @ 6.4 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.3W (Ta)
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	ChipFET™
opakowanie / etui:	8-SMD, Flat Lead