H5N2522LSTL-E | Renesas Electronics America H5N2522LSTL-E | H5N2522LSTL-E Inventory, Best Pricing

H5N2522LSTL-E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	H5N2522LSTL-E
LIXINC Part #	H5N2522LSTL-E
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	H5N2522LSTL-E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

H5N2522LSTL-E Specyfikacje

Numer części:	H5N2522LSTL-E
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	250 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	20A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	47 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1300 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	75W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	4-LDPAK
opakowanie / etui:	SC-83