APTC90DAM60T1G | Microsemi APTC90DAM60T1G | APTC90DAM60T1G Inventory, Best Pricing

APTC90DAM60T1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	APTC90DAM60T1G
LIXINC Part #	APTC90DAM60T1G
Producent	Microsemi
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	APTC90DAM60T1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

APTC90DAM60T1G Specyfikacje

Numer części:	APTC90DAM60T1G
Marka:	Microsemi
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Microsemi
seria:	CoolMOS™
pakiet:	Tray
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	900 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	59A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	60mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 6mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	540 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	13600 pF @ 100 V
funkcja fet:	Super Junction
rozpraszanie mocy (maks.):	462W (Tc)
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SP1
opakowanie / etui:	SP1