SPN03N60S5 | IR (Infineon Technologies) SPN03N60S5 | SPN03N60S5 Inventory, Best Pricing

SPN03N60S5

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SPN03N60S5
LIXINC Part #	SPN03N60S5
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 700MA SOT223-4
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SPN03N60S5 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SPN03N60S5 Specyfikacje

Numer części:	SPN03N60S5
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	CoolMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	700mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 135µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	12.8 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	440 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.8W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-SOT223-4
opakowanie / etui:	TO-261-4, TO-261AA