TSM6N60CH C5G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM6N60CH C5G | TSM6N60CH C5G Inventory, Best Pricing

TSM6N60CH C5G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TSM6N60CH C5G
LIXINC Part #	TSM6N60CH C5G
Producent	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TSM6N60CH C5G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TSM6N60CH C5G Specyfikacje

Numer części:	TSM6N60CH C5G
Marka:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	TSC (Taiwan Semiconductor)
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	6A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.25Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	20.7 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1248 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	89W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-251 (IPAK)
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA