IRF7402PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7402PBF | IRF7402PBF Inventory, Best Pricing

IRF7402PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF7402PBF
LIXINC Part #	IRF7402PBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF7402PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF7402PBF Specyfikacje

Numer części:	IRF7402PBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	6.8A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.7V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	35mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	22 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	650 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)