IXFH80N10Q | Wickmann / Littelfuse IXFH80N10Q | IXFH80N10Q Inventory, Best Pricing

IXFH80N10Q

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IXFH80N10Q
LIXINC Part #	IXFH80N10Q
Producent	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IXFH80N10Q Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IXFH80N10Q Specyfikacje

Numer części:	IXFH80N10Q
Marka:	Wickmann / Littelfuse
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Wickmann / Littelfuse
seria:	HiPerFET™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	80A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	15mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 4mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	180 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4500 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	360W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247AD (IXFH)
opakowanie / etui:	TO-247-3