2SK4151TZ-E | Renesas Electronics America 2SK4151TZ-E | 2SK4151TZ-E Inventory, Best Pricing

2SK4151TZ-E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SK4151TZ-E
LIXINC Part #	2SK4151TZ-E
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 150V 1A TO92
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SK4151TZ-E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SK4151TZ-E Specyfikacje

Numer części:	2SK4151TZ-E
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	150 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.95Ohm @ 500mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	3.5 nC @ 4 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	98 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	750mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)