HN3C51F-BL(TE85L,F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN3C51F-BL(TE85L,F | HN3C51F-BL(TE85L,F Inventory, Best Pricing

HN3C51F-BL(TE85L,F

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	HN3C51F-BL(TE85L,F
LIXINC Part #	HN3C51F-BL(TE85L,F
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze
Opis	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	HN3C51F-BL(TE85L,F Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

HN3C51F-BL(TE85L,F Specyfikacje

Numer części:	HN3C51F-BL(TE85L,F
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ tranzystora:	2 NPN (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	120V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	350 @ 2mA, 6V
moc - maks:	300mW
częstotliwość - przejście:	100MHz
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SC-74, SOT-457
pakiet urządzeń dostawcy:	SM6